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NTB75N06T4

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NTB75N06T4外观图

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0095 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:D2PAK
  • 封装:Reel
  • 下降时间:100 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):40.2 S
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:214 W
  • 上升时间:112 ns
  • 工厂包装数量:800
  • 典型关闭延迟时间:90 ns
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